1.负责编写电子元器件质量检验情况和各项专题报告。
2.本文对程控数字电话交换机所用的集成电路器件,交换机的系统结构以及性能要求的发展趋势进行了讨论。
3.在所研制的新型无触点电力稳压器中,采用晶闸管作为开关器件。
4.是一家全国最早经营电子元器件邮购业务的单位.
5.用软开关电路使电力电子器件工作在零电流和零电压开关状态,大大减少开关损耗,提高了整机效率。
6.可固化树脂材料组合物,光学材料,发光器件,制备发光器件的方法,和电子器件。
7.豪特电子是一家专业销售世界各品牌电子元器件。
8.实验观察到质子也可以导致存储器出现单个位的硬错误和器件功能错误,并对单个位的硬错误与器件集成度的关系提出了合理的解释。
9.因此,对电子器件内部噪声和常规电参数的检测与分析有着重要的工程意义。
10.介绍了一种基于数字频率计原理,以AT89C51单片机为控制器件的新型频率测量方法。
11.这是在电子所内首次利用PLD器件实现信号处理的复杂算法。
12.生物芯片扫描仪是生物芯片应用的关键器件。
13.文章阐述了斩波调速原理,指出峰值电流的大小会影响元器件的寿命,所以有必要对瞬时电流的大小进行控制。
14.为提高贴片机生产效率,对贴片机贴装过程中的元器件拾取贴放顺序进行优化,提出一种改进的蚁群算法。
15.设计的微型压力传感器阵列可有效满足边界层分离点的检测要求,进一步拓展了MEMS器件的工程应用范围。
16.新型无触点补偿式电力稳压器均采用双向晶闸管作为开关器件。
17.描述了可编程逻辑器件PLD的设计方法和过程。
18.研制成的各单元器件可用于其它各种光计算机系统中。
19.本课题就是在此背景下,研究了基于碲镉汞焦平面器件的短波红外成像系统的关键技术。
20.对于逻辑器件来说,提高电流增益是非常重要的.
21.该器件有一个风速计:测量和显示风速和风向。
22.带线结环行器的小型化是当今微波铁氧体器件的研究热点之一。
23.基于GTO器件特性和故障状态下GTO的过流工况,研究了GTO过流分级快速保护模式和实现方法以及保护的极限条件。
24.这有助于加快红色发光材料的发展,从而实现有机电致发光器件的全彩色显示。
25.运用了复杂可编程逻辑器件CPLD简化了控制电路设计的结构。
26.当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。
27.在自由电荷传输模型的基础上得到了电荷耦合器件电荷传输效率的表达式,编制了电荷耦合器件电荷传输效率优化设计软件。
28.枪是一种先进的真空溅射镀膜器件,可用于进行多种真空镀膜工艺。
29.第二部分着重讨论了激光数码冲印输出控制系统的解决方案,以及方案中各部分关键器件的原理和应用。
30.双波长器件的实际激射波长分别为951nm和987nm,为基模激射.
31.采用交流伺服电机作为驱动器件,可以和直流伺服电机一样构成高精度,高性能的半闭环或闭环控制系统。
32.元器件地址需用数据库进行管理.5.
33.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。
34.注册名。应用程序代码使用它来定位器件。
35.无腔器件没有角度依赖性。
36.这种结构器件能有效降低困扰常规MOSFET的短沟效应和寄生的双极效应,能大幅度减小器件尺寸。
37.利用软件取代模拟和数字器件的数字化控制,提高了产品的集成度,增强了系统的柔性和智能性。
38.新型直流固态继电器是一种以新型器件IGBT以及功率场效应管为核心的,全部由固态电子器件组成的新型无触点开关器件。
39.从微波性能方面来看,热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降。
40.根据方型硅杯形式的有限元分析结果,计算力敏器件的性能。
41.分析ISP器件的结构和性能,并介绍ISP下载方法。
42.这两个器件决定Q1什么时候导通,从而为输出提供保持时间可调的高电平。
43.电感线圈,线圈,电子元器件。
44.光衰减器是一种广泛应用的无源光器件。
45.本文采用EEPROM串行存储器件设计软件狗来实现软件加密。
46.应用新型缓冲存储器件FIFO,设计了工控机和控制卡之间的数据通道。
47.简要介绍了PLD的两大类体系结构,深入讨论了复杂可编程逻辑器件CPLD的功能机理及其软硬件开发环境、开发流程。
48.一个相关层是场氧化层,使其与其它器件结构分离。
49.此类问题对电子器件的散热有较大参考价值。
50.通过对模拟结果的分析,提出了提高电荷耦合器件电荷传输效率的具体意见。
51.非易失性可变电阻器,存储器件,及其定标法。
52.吸盘,光刻投影设备,制造吸盘的方法和器件制造方法。
53.对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应,解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。
54.早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效。
55.这两种属性决定着热电材料的"品质因数"。"品质因数"是用来描述用热电材料所制成的元器件的输出功率的单位。
56.频率计是数字电路中的一个典型应用,实际的硬件设计用到的器件较多,而且会产生比较大的延时,造成测量误差、可靠性差。
57.分析表明,光放大器增益波动的大小与器件端面反射率、自发发射因子以及入射光功率等因素有关。
58.器件测试结果充分证实了自对准双栅薄膜晶体管的优越性能。
59.采用了变频器、可编程序控制器等器件,设计了乐池自动升降和自动调速系统。
60.介绍了采用美国微芯公司生产的PIC16F873微处理器等器件来设计甲烷检测报警仪,实现了对空气中的甲烷含量的检测。
61.这几件大型兵器件的内脏都背掏空了,内面如同垃圾桶。
62.结果是每单位时间和金钱更高的器件生产率。
63.由于波纹管具有良好的强化传热性能和防阻垢等性能,能满足石油化工行业管壳式换热元器件应用的需要。
64.采用可编程逻辑器件,实现了一种可传输雷达情报信息的光纤传输系统,并给出了仿真波形。
65.在分析了现有三类基本多电平变换器拓扑的基础上,提出了一种通过无源器件和有源器件共同实现箝位的混合箝位型多电平拓扑。
66.分析了腔镜反射率、量子阱数等参数对阈值电流、输出光功率的影响,并根据理论计算对器件参数进行了优化设计。
67.介绍了编带电子元器件点数仪的设计方法和工作原理。
68.该器件可选为双列直插式封装,可承受粉尘、潮湿、冲击、振动等各种环境条件。
69.随着FTTH的发展,最终的目标是要实现电视、电话和因特网的三网合一,所以单纤三重波分复用器是核心器件之一。
70.可变光学衰减器是波分复用系统的关键器件之一。
71.辐照中器件采用不同电压偏置,并在辐照前后对器件的源漏极间泄漏电流、阈值电压漂移及跨导特性进行测量。
72.本文首先建立了一个SOIMOSFET器件的直流漏电流模型和阈值电压模型,模型考虑了速度饱和效应。
73.基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型。
74.初步研究了聚硅烷的电致发光,选择三明治的双层结构,制成了电致发光器件。
75.热释电探测器为交变信号检测器件,根据这一原理,研制了一种新的激光训练系统,完全解决直射光的问题。
76.ATS616齿轮齿传感器是峰值侦测器件,其使用自动增益控制和集成电容器,在即便是很低的工作速度情况下也能提供相当精确的齿轮边缘检测。
77.直测式是将霍尔器件置于具有线圈绕组或直穿母线的环型铁磁体气隙中,测出气隙里的磁压降,即为被测电流。
78.利用电子束光刻技术制作了基于钛酸钠纳米线的纳米器件。
79.在这一背景下,本论文对典型外电路的半导体器件在微波电磁脉冲作用下的失效情况进行了研究。
80.器件由偏振分离器、偏振组合器、法拉弟旋转器及半波片组成。
81.半阴偏振镜是精确确定和测量平面偏振光的偏振方位的重要器件。
82.通过可编程逻辑器件PLD来实现,它的计时周期为24小时,显示满刻度为23时59分59秒,另外手动复位功能。
83.档高宽绰,除震器件运用充分,加上双螺旋弓弦套件,马刀真是又轻又快又不吵吵.
84.一种读出并存储模拟信号瞬时值的器件。
85.在单位功率因数整流器中,利用瞬时值比较法来控制电源电流,不但控制简单,还可有效限制器件的最高开关频率。
86.第三部分侧重介绍波分复用基础,基本原理,主要特点,相关器件,系统基本组成和对应的光交换技术。
87.本文主要介绍硅微条粒子探测器的研究情况,侧重于器件的基本结构及其工作原理。
88.而其它一些有机染料,如花,虽然具有高的荧光量子产率和荧光稳定性,但目前只限于用在有机光电器件中。
89.对IC元器件有一定肉眼辨别力,能区分散新货和原装货。
90.如果能够借助一些辅助的外电路解决功率器件串联工作时的均压问题,那么就可以省去升压变压器的投资,降低了成本。
91.DS1820是新一代单总线智能化数字温度传感器件。文中介绍了该器件的原理和在电弧炉底温度监测系统中的应用。
92.给出了单总线器件DS18B20在单片机系统中的应用实例。
93.1953年的时候,天津市无线电厂设计投产了工农之友牌两灯中波段收音机,其元器件通过替代改良,大大降低了成本。
94.该结构降低了器件的寄生电容,改善了敏感薄膜的负阻特性,适用于共振隧穿效应陀螺。
95.给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法。
96.BBD器件是一种MOS结构的电荷模拟移位寄存器,它可以完成对模拟信号的精确延迟。
97.基于三相自耦变压器和由可控器件IGBT构成的双向开关实现的新型三相VSG,可以方便地控制跌落类型、跌落持续时间、跌落深度和跌落相位。
98.本文针对该类微喷建立了考虑压电固液耦合和压力波传播效应的等效模型,并利用有限元方法对整个器件的结构振动模态和压力驻波模态进行了分析。
99.本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究,给出了器件等效电路。
100.选择3DK2器件做辐照实验,得到了几个中子源对硅半导体辐照损伤的初步的能谱等效结果。
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